功率 MOSFET STMicroelectronics 针对电压范围支持型应用推出功率 MOSFET - STMicroelectronics丨五颗星科技

日期: Dec 13, 2018来源: STMicroelectronics

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功率 MOSFET

STMicroelectronics 针对电压范围支持型应用推出功率 MOSFET

STMicroelectronics 的 MOSFET 产品组合具有广泛的击穿电压,从 -500 V 至 1500 V 不等,并提供低栅极电荷和低导通电阻,采用先进的封装。 ST 针对高电压 MOSFET (MDmesh™) 和低电压 MOSFET (StripFET™) 的工艺技术增强了功率处理能力,从而实现了高效率的解决方案。

其广泛的产品组合的主要特性包括︰  
  • -500 V 至 1500 V 击穿电压范围
  • 超过 30 种封装选择,包括带专用控制引脚以提高能效的 4 引脚 TO247,实现高电流能力的 H2PAK,以及得益于大型裸金属漏极焊盘而具有出色热性能的 1 mm 高表面贴装 PowerFLAT™ 5 x 6 HV 和 VHV
  • 改进的栅极电荷和更低的功率耗散足以满足当今挑战性的能效要求
  • 固有的快速体二极管选择,用于特定产品线
  • 广泛的汽车级 MOSFET 产品组合

在每个电压范围内,支持的应用如开关模式电源、照明、DC-DC 转换器、电机控制和汽车设备,ST 总有合适的 MOSFET 来满足用户的设计需求。

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Power MOSFETs

    制造商零件编号 描述 漏源电压(Vdss) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)    
    STQ1NK80ZR-AP MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92 800V 300mA(Tc)    
    STD3NK100Z MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK 1000V 2.5A(Tc)    
    STP60NF06 MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 60V 60A(Tc)    
    STL3NM60N MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT 600V 650mA(Ta),2.2A(Tc)    
    STQ3N45K3-AP MOSFET N-CH 450V 600MA TO-92 450V 600mA(Tc)    
    STP90NF03L MOSFET N-CH 30V 90A TO-220 30V 90A(Tc)    
    STP4NK80Z MOSFET N-CH 800V 3A TO-220 800V 3A(Tc)    

 

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