Infineon 的 800 V CoolMOS P7 系列将小型 SOT-223 封装和高性能集于一体 - Infineon丨五颗星科技

日期: Dec 13, 2018来源: Infineon

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800 V CoolMOS™ P7 功率晶体管

Infineon 的 800 V CoolMOS P7 系列将小型 SOT-223 封装和高性能集于一体

Infineon Technologies 的 800 V CoolMOS P7 系列将最新的 CoolMOS P7 技术和创新的 SOT-223 封装整合在一起,带来了性价比最高的超级结结合技术以及高性价比封装解决方案。SOT-223 封装没有中间引脚,完全兼容 DPAK 封装的基底面,允许以更低的成本进行一对一直接替换和二次采购。800 V CoolMOS P7 系列受益于其低成本和节省空间的设计,以更低的功率耗散实现了媲美 DPAK 的热性能。800 V P7 的 RDS(on) 为 2.4 Ω。

Infineon Technologies 的 800 V CoolMOS P7 功率晶体管图 Infineon Technologies 的 800 V CoolMOS P7 功率晶体管图
特性和优势  
  • 以较低的成本直接替换 DPAK
  • 节省空间的设计,低功率耗散
  • 热性能媲美 DPAK
  • 与类似竞争对手技术相比,具有成本优势
  • SOT-223 可节省成本和空间(外形更小)
  • 支持更高的开关频率,以减少磁性器件
  • SOT-223 与 CoolMOS P7 相结合,可进一步降低成本,提高性能和易用性
  • 在以下方面最适合目标应用
    • 散热和效率
    • 易用性水平
    • EMI 性能
应用  
  • 适配器
  • 充电器
  • 电视
  • 照明

800 V CoolMOS™ P7 Power Transistors

    制造商零件编号 描述    
    IPN80R3K3P7ATMA1 COOLMOS P7 800V SOT-223    
    IPN80R2K4P7ATMA1 COOLMOS P7 800V SOT-223    
    IPN80R750P7ATMA1 COOLMOS P7 800V SOT-223    
    IPN80R600P7ATMA1 COOLMOS P7 800V SOT-223    
    IPN80R1K2P7ATMA1 COOLMOS P7 800V SOT-223    

 

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