Vishay 的 600 V、E 系列 MOSFET 采用 PowerPAK? 8 mm x 8 mm 封装，并通过 Kelvin 连接降低栅极驱动电感 - Vishay丨五颗星科技
日期: Dec 13, 2018来源: Vishay
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SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E 和 SiHH11N60E MOSFET
Vishay 的 600 V、E 系列 MOSFET 采用 PowerPAK® 8 mm x 8 mm 封装，并通过 Kelvin 连接降低栅极驱动电感
Vishay 的 600 V、E 系列 MOSFET 采用 PowerPAK 8 mm x 8 mm 封装结构，允许把其中一个源引脚指定为能将栅极驱动返回路径与主载流源端子隔离的专用 Kelvin 源连接。 这样会防止高电流路径中的 L x di/dt 电压降降低施加到 E 系列 MOSFET 上的栅极驱动电压。 这样，就能在电信、服务器、计算、照明和工业应用的电源设计中实现更块的开关速度、更强的抗噪能力。
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